欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

CEFF634 参数 Datasheet PDF下载

CEFF634图片预览
型号: CEFF634
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 408 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
 浏览型号CEFF634的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CEFF634的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CEFF634的Datasheet PDF文件第4页  
CEPF634/CEBF634
CEIF634/CEFF634
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
c
b
TC = 25℃ ,除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
f
V
SD
V
GS
= 0V时,我
S
= 8.1A
0.9
V
DS
= 200V ,我
D
= 5.6A,
V
GS
= 10V
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250µA
V
GS
= 10V ,我
D
= 4.5A
V
DS
= 50V ,我
D
= 5.1A
4.4
925
95
20
16
3.5
38
4
18
3
5
8.1
1.5
32
7
76
8
23
2
250
25
100
-100
4
0.45
典型值
最大
单位
V
µA
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 125V ,我
D
= 5.6A,
V
GS
= 10V ,R
= 12Ω
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
d.Limited只有最高温度允许的。
Ë .Pulse宽度有限的安全工作区。
˚F 。全包我
S( MAX)的
= 6A .
克.UIS条件VDD = 25V L = 2MH RG = 25ohm IAS = 8.1A 。
2