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    CEG8205A_10 参数 Datasheet PDF下载

    CEG8205A_10图片预览
    型号： CEG8205A_10
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    内容描述： 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 436 K
    品牌： CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
     浏览型号CEG8205A_10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CEG8205A_10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CEG8205A_10的Datasheet PDF文件第4页  
    双N沟道增强型场效应晶体管
    特点
    20V ，6A ，R
    DS （ ON）
    = 25MΩ @V
    GS
    = 4.5V.
    R
    DS （ ON）
    = 35mΩ @V
    GS
    = 2.5V.
    超级高密度电池设计极低R
    DS （ ON）
    .
    高功率和电流移交能力。
    被收购无铅产品。
    TSSOP - 8表面贴装封装。
    G
    2
    S
    2
    S
    2
    D
    CEG8205A
    D
    S
    1
    S
    1
    G
    1
    G
    1
    S
    1
    S
    1
    D
    1
    2
    3
    4
    8 D
    7 S
    2
    6 S
    2
    5 G
    2
    TSSOP-8
    绝对最大额定值
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流连续
    漏电流脉冲
    a
    T
    A
    = 25°C除非另有说明
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    J
    ,T
    英镑
    极限
    20
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    C
    ±
    12
    6
    25
    1.5
    -55到150
    最大功率耗散
    操作和存储温度范围
    热特性
    参数
    热阻，结到环境
    b
    符号
    R
    θJA
    极限
    83
    单位
    C / W
    详细信息如有变更，恕不另行通知。
    1
    冯2. 2010.Dec
    http://www.cetsemi.com

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