CEH2310 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CEH2310
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 107 K
品牌：	CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]

CEH2310

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

30V ， 6.2A ，R

DS （ ON）

= 33mΩ @V

= 10V.

DS （ ON）

= 38mΩ @V

= 4.5V.

DS （ ON）

= 55mΩ @V

= 2.5V.

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

坚固可靠。

被收购无铅产品。

TSOP - 6封装。

TSOP-6

S(4)

G(3)

D(1,2,5,6,)

初步

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流脉冲

= 25°C除非另有说明

符号

英镑

极限

单位

6.2

2.0

-55到150

最大功率耗散

操作和存储温度范围

热特性

参数

热阻，结到环境

符号

θJA

极限

62.5

单位

C / W

这是在开发新产品的初步信息了。

详细信息如有变更，恕不另行通知。

修订版1 2006.April

http://www.cetsemi.com

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