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CEH2321 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CEH2321
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 131 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEH2321
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
b
漏源二极管的正向电压
c
d
d
c
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时,我
S
= -1.3A
V
DS
= -10V ,我
D
= -4.5A,
V
GS
= -4.5V
V
DD
= -10V ,我
D
= -1A,
V
GS
= -4.5V ,R
= 6Ω
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -250µA
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
V
GS
= 12V, V
DS
= 0V
V
GS
= -12V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250µA
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -4.5A
V
GS
= -2.5V ,我
D
= -3.6A
V
DS
= -5V ,我
D
= -4.5A
-0.6
45
65
11
1490
252
192
15
10
68
31
13.5
3
4
-1.3
-1.2
21
16
105
47
19
-20
-1
100
-100
-1.5
55
80
典型值
最大
单位
V
µA
nA
nA
V
mΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
7
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Surface安装在FR4板,T < 5秒。
c.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计d.Guaranteed ,不受生产测试。
2