CEH2305 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CEH2305
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 300 K
品牌：	CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]

CEH2305

P沟道增强型场效应晶体管

特点

-30V ， -4.9A ，R

DS （ ON）

= 52mΩ @V

= -10V.

DS （ ON）

= 65mΩ @V

= -4.5V.

DS （ ON）

= 119mΩ @V

= -2.5V.

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

坚固可靠。

被收购无铅产品。

TSOP - 6封装。

TSOP-6

S(4)

G(3)

D(1,2,5,6,)

初步

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流脉冲

= 25°C除非另有说明

符号

英镑

极限

-30

单位

-4.9

-20

2.0

-55到150

最大功率耗散

操作和存储温度范围

热特性

参数

热阻，结到环境

符号

θJA

极限

62.5

单位

C / W

这是在开发新产品的初步信息了。

详细信息如有变更，恕不另行通知。

修订版1 2006.Aug

http://www.cetsemi.com

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