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CEI655N 参数 Datasheet PDF下载

CEI655N图片预览
型号: CEI655N
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 106 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEP655N/CEB655N
CEI655N/CEF655N
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
TYPE
CEP655N
CEB655N
CEI655N
CEF655N
V
DSS
150V
150V
150V
150V
R
DS ( ON)
0.153Ω
0.153Ω
0.153Ω
0.153Ω
I
D
15A
15A
15A
15A
d
@V
GS
10V
10V
10V
10V
D
初步
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 220 & TO- 263 & TO- 262封装& TO- 220F通孔全白了。
D
G
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
G
D
S
CEI系列
TO-262(I2-PAK)
G
D
S
CEP系列
TO-220
G
D
S
CEF系列
TO-220F
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
操作和存储温度范围
TC = 25℃ ,除非另有说明
极限
符号
TO-220/263/262
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
e
P
D
T
J
,T
英镑
15
60
83
0.56
150
TO-220F
单位
V
V
±
25
15
39
0.26
-55至175
d
A
A
W
W / C
C
60
d
热特性
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
1.8
62.5
极限
3.8
65
单位
C / W
C / W
这是在开发新产品的初步信息了。
详细信息如有变更,恕不另行通知。
1
修订版1 2005.June
http://www.cetsemi.com