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CEJ8218 参数 Datasheet PDF下载

CEJ8218图片预览
型号: CEJ8218
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 365 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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双N沟道增强型场效应晶体管
特点
20V , 6.5A ,R
DS ( ON)
= 23mΩ @V
GS
= 4.5V.
R
DS ( ON)
= 34mΩ @V
GS
= 2.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
S
1
*设计典型值
G
1
*1K
D
CEJ8218
D
G
2
*1K
S
2
D
8
D
7
D
6
D
5
2928-8J
1
2
3
4
S
1
G
1
S
2
G
2
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
20
单位
V
V
A
A
W
C
±
12
6.5
25
1.5
-55到150
最大功率耗散
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到环境
b
符号
R
θJA
极限
83
单位
C / W
详细信息如有变更,恕不另行通知。
1
冯2. 2007.July
http://www.cetsemi.com