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型号: CEM11C2
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内容描述: 双增强模式场效应晶体管( N和P沟道) [Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 60 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEM11C2
2002年7月
双增强模式场效应晶体管( N和P沟道)
5
特点
30V ,7A ,R
DS ( ON)
=30m
@V
GS
=10V.
R
DS ( ON)
=42m
@V
GS
=4.5V.
-20V , -4.3A ,R
DS ( ON)
=90m
@V
GS
=-4.5V.
R
DS ( ON)
=120m
@V
GS
=-2.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
表面贴装封装。
SO-8
1
1
2
3
S
2
4
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
S
1
G
1
G
2
绝对最大额定值(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续@T
J
=125 C
b
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
最大功率耗散
a
工作结存储
温度范围
a
a
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道P沟道
30
20
7
30
2.3
2.0
-55到150
-20
8
4.3
17
-4.3
单位
V
V
A
A
A
W
C
热特性
热阻,结到环境
a
R
JA
62.5
C / W
5-148