欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

CEM2939 参数 Datasheet PDF下载

CEM2939图片预览
型号: CEM2939
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 双增强模式场效应晶体管( N和P沟道) [Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 459 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
 浏览型号CEM2939的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CEM2939的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CEM2939的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CEM2939的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CEM2939的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CEM2939的Datasheet PDF文件第7页  
双增强模式场效应晶体管( N和P沟道)
CEM2939
5
特点
20V , 6.5A ,R
DS ( ON)
= 30mΩ到@V
GS
= 4.5V.
R
DS ( ON)
= 43mΩ @V
GS
= 2.5V.
-20V , -4.8A ,R
DS ( ON)
= 55mΩ @V
GS
= -4.5V.
R
DS ( ON)
= 90mΩ @V
GS
= -2.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
表面贴装封装。
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
SO-8
1
1
S
1
2
G
1
3
S
2
4
G
2
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
N沟道
20
P沟道
-20
单位
V
V
A
A
W
C
±
12
6.5
20
2.0
-55到150
±
12
-4.8
-20
最大功率耗散
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到环境
b
符号
R
θJA
极限
62.5
单位
C / W
规格及数据如有更改,恕不另行通知。
1
冯三2007.Feb
http://www.cetsemi.com