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CEM3138 参数 Datasheet PDF下载

CEM3138图片预览
型号: CEM3138
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 506 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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通道2
40
V
GS
=10,6,4.5V
V
GS
=4.0V
CEM3138
25
20
15
10
5
0
25 C
I
D
,漏电流( A)
30
V
GS
=3.5V
I
D
,漏电流( A)
20
5
10
V
GS
=3.0V
V
GS
=2.5V
0
1
2
3
4
T
J
=125 C
0.0
0.5
1.0
1.5
-55 C
2.0
2.5
3.0
0
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.输出特性
R
DS (ON ) ,
R
DS ( ON)
,导通电阻(欧姆)
1200
1000
800
600
400
200
0
CRSS
0
5
10
15
20
25
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图8.传热特性
I
D
=6.3A
V
GS
=10V
C,电容(pF )
西塞
科斯
-50
0
50
100
150
200
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图9.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
DS
=V
GS
T
J
,结温( C)
图10.导通电阻变化
随温度
I
S
,源极 - 漏极电流( A)
V
GS
=0V
10
1
V
TH
归一化
门源阈值电压
I
D
=250µA
10
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
,结温( C)
图11.栅极阈值变化
随温度
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图12.体二极管正向电压
变化与源电流
5