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型号: CEM4808
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 380 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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双N沟道增强型场效应晶体管
特点
30V ,9A ,R
DS ( ON)
= 15MΩ @V
GS
= 10V.
R
DS ( ON)
= 20MΩ @V
GS
= 4.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
表面贴装封装。
D
1
8
D
1
7
CEM4808
5
D
2
6
D
2
5
SO-8
1
1
S
1
2
G
1
3
S
2
4
G
2
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
30
单位
V
V
A
A
W
C
±
20
9
36
2.0
-55到150
最大功率耗散
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到环境
b
符号
R
θJA
极限
62.5
单位
C / W
详细信息如有变更,恕不另行通知。
1
冯2. 2006.Dec
http://www.cetsemi.com