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型号: CEM6080
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内容描述: 双增强模式场效应晶体管( N和P沟道) [Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 464 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEM6080
双增强模式场效应晶体管( N和P沟道)
特点
60V , 5.6A ,R
DS ( ON)
= 45mΩ @V
GS
= 10V.
R
DS ( ON)
= 75mΩ @V
GS
= 4.5V.
-60V , -3.3A ,R
DS ( ON)
= 130mΩ @V
GS
= -10V.
R
DS ( ON)
= 180mΩ @V
GS
= -4.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
表面贴装封装。
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
5
SO-8
1
1
S
1
2
G
1
3
S
2
4
G
2
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
N沟道
60
P沟道
-60
单位
V
V
A
A
W
C
±
20
5.6
23
2.0
-55到150
±
20
-3.3
-13
最大功率耗散
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到环境
b
符号
R
θJA
极限
62.5
单位
C / W
详细信息如有变更,恕不另行通知。
1
修订版1 2006.Sep
http://www.cetsemi.com