CEM6608 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CEM6608
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内容描述：	双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 637 K
品牌：	CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]

CEM6608

=10,8,6,5V

25 C

，漏电流（ A）

=4.0V

，漏电流（ A）

=125 C

0.0

1.0

2.0

-55 C

3.0

4.0

5.0

，漏极至源极电压（ V）

图1.输出特性

600

500

400

300

200

100

CRSS

科斯

西塞

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

=4A

=10V

DS （ON ），

归

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

C，电容（pF ）

-50

100

150

200

，漏极至源极电压（ V）

图3.电容

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

，结温（ C）

图4.导通电阻变化

随温度

，源极 - 漏极电流（ A）

=0V

归一化

门源阈值电压

=250µA

-25

100

125

150

-1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

，体二极管正向电压（ V）

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

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