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型号: CEM8938
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内容描述: 双增强模式场效应晶体管( N和P沟道) [Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 177 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEM8938
P沟道
30
-V
GS
=10,6.0V
-V
GS
=5.0V
15
25 C
-I
D
,漏电流( A)
24
-V
GS
=4.5V
18
-V
GS
=4.0V
12
-V
GS
=3.5V
6
-V
GS
=3.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
-I
D
,漏电流( A)
12
9
6
T
J
=125 C
3
-55 C
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
3.0
4.5
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.输出特性
R
DS (ON ) ,
R
DS ( ON)
,导通电阻(欧姆)
1800
1500
西塞
1200
900
600
300
0
0
5
10
15
科斯
CRSS
20
25
30
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图8.传热特性
I
D
=-5A
V
GS
=-10V
C,电容(pF )
-50
0
50
100
150
200
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图9.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
T
J
,结温( C)
图10.导通电阻变化
随温度
-I
S
,源极 - 漏极电流( A)
V
GS
=0V
1
V
TH
归一化
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
10
10
0
10
-25
0
25
50
75
100
125
150
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
,结温( C)
图11.栅极阈值变化
随温度
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图12.体二极管正向电压
变化与源电流
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