CEP10N6_10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CEP10N6_10
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 403 K
品牌：	CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

TYPE

CEP10N6

CEB10N6

CEF10N6

DSS

600V

DS （ ON）

0.75Ω

10A

CEP10N6/CEB10N6

CEF10N6

10V

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

高功率和电流移交能力。

被收购无铅产品。

CEP系列

TO-220

CEB系列

TO-263(DD-PAK)

CEF系列

TO-220F

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续@ T

= 25 C

@ T

= 100 C

漏电流脉冲

TC = 25℃ ，除非另有说明

极限

符号

TO-220/263

英镑

TO-220F

单位

600

166

1.3

187.5

-55至175

0.4

W / C

最大功率耗散@ T

= 25 C

- 减免上述25℃

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩电流

操作和存储温度范围

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

θJC

θJA

0.75

62.5

极限

2.5

单位

C / W

详细信息如有变更，恕不另行通知。

冯2. 2011.Feb

http://www.cetsemi.com

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