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CEP10P10 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CEP10P10
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 397 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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P沟道增强型场效应晶体管
特点
-100V , -9A ,R
DS ( ON)
= 350mΩ @V
GS
= -10V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
的TO-220 &的TO- 263封装。
CEP10P10/CEB10P10
D
D
G
G
D
S
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
CEP系列
TO-220
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ,除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
-100
单位
V
V
A
A
W
W / C
C
±
30
-9
-36
75
0.5
-55至175
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
极限
2
62.5
单位
C / W
C / W
2009.July
1
http://www.cetsemi.com