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型号: CEP62A3
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 52 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEP62A3/CEB62A3
2003年2月
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
特点
30V , 60A ,R
DS ( ON)
=10m
@V
GS
=10V.
R
DS ( ON)
=15m
@V
GS
=4.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流处理能力。
的TO-220 &的TO- 263封装。
D
4
4
D
G
G
D
S
G
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
CEP系列
TO-220
S
绝对最大额定值(TC = 25℃除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
最大功率耗散
@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
20
60
180
60
68
0.45
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
C
热特性
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
R
JC
R
JA
4-177
2.2
62.5
C / W
C / W