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CEPF630 参数 Datasheet PDF下载

CEPF630图片预览
型号: CEPF630
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 379 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEPF630/CEBF630
CEFF630
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
c
b
TC = 25℃ ,除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时,我
S
= 10A
V
DS
= 160V ,我
D
=5.9A,
V
GS
= 10V
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250µA
V
GS
= 10V ,我
D
= 5A
V
DS
= 10V ,我
D
= 5A
6
680
105
40
50
80
55
40
27
4
14.7
10
1.5
100
160
110
80
54
2
200
25
100
-100
4
350
典型值
最大
单位
V
µA
4
nA
nA
V
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 100V ,我
D
= 5A,
V
GS
= 10V ,R
= 50Ω
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
d.Limited只有最高温度允许的。
e.Pulse宽度有限的安全工作区。
f.Full包我
S( MAX)的
= 6.4A .
g.Full套餐五
SD
测试条件我
S
= 6.4A .
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