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CES2321_10 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CES2321_10
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 380 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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P沟道增强型场效应晶体管
特点
-20V , -3.8A ,R
DS ( ON)
= 55mΩ @V
GS
= -4.5V.
R
DS ( ON)
= 62mΩ @V
GS
= -2.5V.
高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
坚固可靠。
被收购无铅产品。
SOT- 23封装。
CES2321
D
D
G
SOT-23
G
S
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
-20
单位
V
V
A
A
W
C
±
12
-3.8
-15.2
1.25
-55到150
最大功率耗散
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到环境
b
符号
R
θJA
极限
100
单位
C / W
详细信息如有变更,恕不另行通知。
1
冯三2010.Sep
http://www.cetsemi.com