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CEU01N6 参数 Datasheet PDF下载

CEU01N6图片预览
型号: CEU01N6
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 85 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CED01N6/CEU01N6
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
650V , 0.9A ,R
DS ( ON)
= 15
@V
GS
= 10V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 251 & TO- 252封装。
D
D
G
S
CEU系列
TO-252(D-PAK)
G
D
G
S
CED系列
TO-251(I-PAK)
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ,除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
I
AS
T
J
,T
英镑
极限
650
单位
V
V
A
A
W
W / C
mJ
A
C
±
30
0.9
3.6
31
0.25
60
0.8
-55到150
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
单脉冲雪崩能量
d
雪崩电流
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
极限
4
50
单位
C / W
C / W
版本1 。
2005.Decemcer
1
http://www.cetsemi.com