欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

CEU02N7 参数 Datasheet PDF下载

CEU02N7图片预览
型号: CEU02N7
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 123 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
 浏览型号CEU02N7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CEU02N7的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CEU02N7的Datasheet PDF文件第4页  
CED02N7/CEU02N7
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
700V , 1.6A ,R
DS ( ON)
= 6.6Ω @V
GS
= 10V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 251 & TO- 252封装。
D
D
G
S
CEU系列
TO-252(D-PAK)
G
D
G
S
CED系列
TO-251(I-PAK)
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ,除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
J
,T
英镑
极限
700
单位
V
V
A
A
W
W / C
mJ
A
mJ
C
±
30
1.6
6
43
0.34
125
2
5.4
-55到150
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
单脉冲雪崩能量
d
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
a
a
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
极限
2.9
50
单位
C / W
C / W
2004.October
6 - 10
http://www.cetsemi.com