CED02N6G/CEU02N6G
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
动态特性
c
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
b
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250µA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250µA
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A
2
3.8
民
600
25
100
-100
4
5
典型值
最大
单位
V
µA
nA
nA
V
Ω
栅极阈值电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
295
75
20
19
11
29
10
6.7
1.5
3
1.9
38
22
58
20
8.9
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
V
DD
= 300V ，我
D
= 1A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 18Ω
V
DS
= 480V ，我
D
= 1A,
V
GS
= 10V
漏源二极管特性及最大额定值
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A
1.5
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Device安装在FR4板，T < 10秒。
c.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计d.Guaranteed ，不受生产测试。
EL = 10MH ， IAS = 1.5A ， VDD = 50V ， RG = 25W ，开始TJ = 25℃
2
CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
