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    CEU51A3 参数 Datasheet PDF下载

    CEU51A3图片预览
    型号： CEU51A3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 144 K
    品牌： CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
     浏览型号CEU51A3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CEU51A3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CEU51A3的Datasheet PDF文件第4页  
    CED51A3/CEU51A3
    N沟道增强型网络场效晶体管
    特点
    30V ， 35A ，R
    DS （ ON）
    = 14mΩ （典型值） @V
    GS
    = 10V.
    R
    DS （ ON）
    = 21mΩ （典型值） @V
    GS
    = 4.5V.
    超级高密度电池设计极低R
    DS （ ON）
    .
    高功率和电流移交能力。
    被收购无铅产品。
    TO- 251 & TO- 252封装。
    D
    D
    G
    S
    CEU系列
    TO-252(D-PAK)
    G
    D
    G
    S
    CED系列
    TO-251(I-PAK)
    S
    绝对最大额定值
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流连续
    漏电流脉冲
    a
    TC = 25℃ ，除非另有说明
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    J
    ,T
    英镑
    极限
    30
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    W / C
    C
    ±
    20
    35
    140
    50
    0.33
    -55至175
    最大功率耗散@ T
    C
    = 25 C
    - 减免上述25℃
    操作和存储温度范围
    热特性
    参数
    热阻，结到外壳
    热阻，结到环境
    符号
    R
    θJC
    R
    θJA
    极限
    3
    50
    单位
    C / W
    C / W
    2004.October
    6 - 70
    http://www.cetsemi.com

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