CMT01N60N252 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CMT01N60N252
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	功率场效应晶体管 [POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	8 页 / 268 K
品牌：	CHAMP [ CHAMPION MICROELECTRONIC CORP. ]

CMT01N60

OWER

屈服

ffect

RANSISTOR

概述

这种高电压MOSFET采用先进的终止

方案以提供增强的电压阻断能力

在不降低性能随着时间的推移。另外，该

先进的MOSFET被设计成能承受高能量的

雪崩和减刑模式。新能源

高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用

快速恢复时间。专为高电压，高转速

电源供应器，转换器，开关和应用

PWM电机控制，这些设备是特别好

适用于桥式电路中的二极管速度和

换向安全工作区域是至关重要的，并提供

针对突发的额外电压和安全边际

瞬变。

特点

强大的高压端子

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快速恢复二极管

二极管电桥电路的特点是使用

DSS

和V

（上）指定高温

引脚配置

TO-251

TO-252

TO-92

符号

前视图

来源

前视图

来源

漏

门

漏

门

漏

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

等级

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

TO-251/252

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

= 25℃

= 100V, V

= 10V ，我

= 2A ，L = 10MH ，R

= 25Ω)

热阻

－

结到外壳

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

1.0

62.5

260

℃

℃/W

, T

英镑

符号

GSM

-55到150

℃

价值

1.0

9.0

±30

±40

单位

2006/10/11

修订版1.6

冠军微电子公司

第1页

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案