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CMT01N60XN92 参数 Datasheet PDF下载

CMT01N60XN92图片预览
型号: CMT01N60XN92
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内容描述: 功率场效应晶体管 [POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 184 K
品牌: CHAMP [ CHAMPION MICROELECTRONIC CORP. ]
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CMT01N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
概述
这种高电压MOSFET采用先进的终止
方案以提供增强的电压阻断能力
在不降低性能随着时间的推移。另外,该
先进的MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。新能源
高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用
快速恢复时间。专为高电压,高转速
电源供应器,转换器,开关和应用
PWM电机控制,这些设备是特别好
合适的
电路
哪里
二极管
速度
换向安全工作区域是至关重要的,并提供
针对突发的额外电压和安全边际
瞬变。
特点
强大的高压端子
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS
(上)指定高温
引脚配置
TO-251
TO-92
符号
前视图
来源
前视图
D
来源
G
S
N沟道MOSFET
1
2
3
1
2
3
绝对最大额定值
等级
漏电流
TO-251(Continuous)
TO- 92 (连续)
脉冲
栅极 - 源极电压
CONTINUE
不重复
总功耗
TO-251
TO-92
工作和存储温度范围
单脉冲漏极至源雪崩能源
T
J
= 25℃
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ,我
AS
= 2A ,L = 10MH ,R
G
= 25Ω)
热阻
结到外壳
结到环境
最大的铅焊接温度的目的, 1/8“案件从10秒
θ
JC
θ
JA
T
L
1.0
62.5
260
℃/W
T
J
, T
英镑
E
AS
P
D(最大)
30
3
-55到150
20
mJ
W
I
DM
V
GS
V
GSM
符号
I
D
价值
1.0
0.5
2.0
±30
±40
V
V
A
单位
2010/12/01
修订版1.7
冠军微电子公司
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