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    CMT05N50N220FP 参数 Datasheet PDF下载

    CMT05N50N220FP图片预览
    型号： CMT05N50N220FP
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET [POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 195 K
    品牌： CHAMP [ CHAMPION MICROELECTRONIC CORP. ]
     浏览型号CMT05N50N220FP的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CMT05N50N220FP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CMT05N50N220FP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CMT05N50N220FP的Datasheet PDF文件第5页  
    CMT05N50
    P
    OWER
    MOSFET
    电气特性
    除非另有规定，T
    J
    = 25℃.
    CMT05N50
    特征
    漏源击穿电压
    (V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250
    μA)
    漏极 - 源极漏电流
    (V
    DS
    = 500V, V
    GS
    = 0 V)
    门源漏电流，正向
    (V
    GSF
    = 20 V, V
    DS
    = 0 V)
    门源漏电流，反向
    (V
    GSR
    = -20 V, V
    DS
    = 0 V)
    栅极阈值电压
    (V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250
    μA)
    静态漏源导通电阻（V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 2.7A ） （注4 ）
    正向跨导（V
    DS
    = 15V ，我
    D
    = 2.5 A） （注4 ）
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    (V
    DS
    = 400V ，我
    D
    = 5A
    V
    GS
    = 10 V ） （注4 ）
    (V
    DD
    = 250 V，I
    D
    = 5 A,
    R
    G
    = 9.1Ω, V
    GS
    = 10 V ） （注4 ）
    (V
    DS
    = 25 V, V
    GS
    = 0 V,
    F = 1.0兆赫）
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    25
    I
    GSSF
    I
    GSSR
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    g
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    L
    D
    L
    S
    2.8
    520
    170
    11
    7.0
    9.0
    20
    10
    10
    2
    3
    4.5
    7.5
    730
    240
    20
    10
    20
    40
    20
    2.0
    100
    -100
    4.0
    1.5
    nA
    nA
    V
    Ω
    姆欧
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    nH
    nH
    民
    500
    典型值
    最大
    单位
    V
    μA
    内部排水电感
    （从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
    内部排水电感
    （测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
    源极 - 漏极二极管的特性
    反向恢复电荷
    向前开启时间
    反向恢复时间
    二极管的正向电压
    I
    S
    = 5A ，V
    GS
    = 0 V
    I
    F
    = 5A ，的di / dt = 100A / μs的，T
    J
    = 25℃
    Q
    rr
    t
    on
    t
    rr
    V
    SD
    1.8
    **
    415
    1.5
    µC
    ns
    V
    记
    （ 1 ）重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温
    (2) V
    DD
    = 100V, V
    GS
    = 10V ，L = 10MH ，我
    AS
    = 5A ，R
    G
    = 25Ω
    (3) I
    SD
    ≦
    4.5A ， di / dt的
    ≦
    75A / μs的，V
    DD
    ≦
    V
    （ BR ） DSS
    , T
    J
    ≦
    150℃
    **忽略不计，占主导地位的电路中电感
    2002/05/29
    初步
    1.0版
    冠军微电子公司
    第2页

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