CMT05N50_06 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CMT05N50_06
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内容描述：	功率MOSFET [POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 230 K
品牌：	CHAMP [ CHAMPION MICROELECTRONIC CORP. ]

CMT05N50

OWER

MOSFET

概述

这是功率MOSFET专为低电压，高

高速功率开关应用，如开关

监管机构， conveters ，电磁阀和继电器驱动器。

特点

更高的额定电流

低ř

DS （ ON）

，低的电容

低总栅极电荷

更严格的VSD技术指标

较高的雪崩能量

引脚配置

TO-220/TO-220FP

符号

顶视图

门

来源

漏

N沟道MOSFET

订购信息

产品型号

CMT05N50N220

CMT05N50N220FP

包

TO-220

TO-220FP

绝对最大额定值

等级

漏电流

－

连续

－

脉冲（注1 ）

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

总功耗

减免上述25 °

单脉冲雪崩能量（注2 ）

工作和存储温度范围

热阻

－

结到外壳

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

, T

英镑

符号

价值

5.0

±20

0.77

125

-55到150

1.70

300

℃

W/℃

℃

℃/W

单位

2006/10/11

修订版1.1

冠军微电子公司

第1页

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