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    CMT06N60_06 参数 Datasheet PDF下载

    CMT06N60_06图片预览
    型号： CMT06N60_06
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    内容描述： 功率场效应晶体管 [POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 227 K
    品牌： CHAMP [ CHAMPION MICROELECTRONIC CORP. ]
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    CMT06N60
    P
    OWER
    F
    屈服
    E
    ffect
    T
    RANSISTOR
    概述
    这种高电压MOSFET采用先进的终止
    方案以提供增强的电压阻断能力
    在不降低性能随着时间的推移。另外，该
    先进的MOSFET被设计成能承受高能量的
    雪崩和减刑模式。新能源
    高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用
    快速恢复时间。专为高电压，高转速
    电源供应器，转换器，开关和应用
    PWM电机控制，这些设备是特别好
    适用于桥式电路中的二极管速度和
    换向安全工作区域是至关重要的，并提供
    针对突发的额外电压和安全边际
    瞬变。
    特点
    强大的高压端子
    较高的雪崩能量
    源极到漏极二极管恢复时间等同于
    离散快速恢复二极管
    二极管电桥电路的特点是使用
    I
    DSS
    指定高温
    引脚配置
    TO-220/TO-220FP
    符号
    D
    前视图
    门
    来源
    漏
    G
    1
    2
    3
    S
    N沟道MOSFET
    2006/10/11
    修订版1.2
    冠军微电子公司
    第1页

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