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    CMT08N50N220FP 参数 Datasheet PDF下载

    CMT08N50N220FP图片预览
    型号： CMT08N50N220FP
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率场效应晶体管 [POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 217 K
    品牌： CHAMP [ CHAMPION MICROELECTRONIC CORP. ]
     浏览型号CMT08N50N220FP的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CMT08N50N220FP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CMT08N50N220FP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CMT08N50N220FP的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CMT08N50N220FP的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CMT08N50N220FP的Datasheet PDF文件第7页  
    CMT08N50
    P
    OWER
    F
    屈服
    E
    ffect
    T
    RANSISTOR
    订购信息
    产品型号
    CMT08N50N220
    CMT08N50N220FP
    包
    TO-220
    TO- 220封装完整
    电气特性
    除非另有规定，T
    J
    = 25℃.
    CMT08N50
    特征
    漏源击穿电压
    (V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250
    μA)
    漏极 - 源极漏电流
    (V
    DS
    = 500 V, V
    GS
    = 0 V)
    (V
    DS
    = 400 V, V
    GS
    = 0 V ，T
    J
    = 125℃)
    门源漏电流，正向
    (V
    GSF
    = 20 V, V
    DS
    = 0 V)
    门源漏电流，反向
    (V
    GSR
    = 20 V, V
    DS
    = 0 V)
    栅极阈值电压
    (V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250
    μA)
    静态漏源导通电阻（V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 4.0A) *
    漏源电压（V
    GS
    = 10 V)
    (I
    D
    = 8.0 A)
    正向跨导（V
    DS
    = 50 V，I
    D
    = 4.0A) *
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    内部排水电感
    （从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
    内部排水电感
    （测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
    源极 - 漏极二极管的特性
    正向导通电压（ 1）
    向前开启时间
    反向恢复时间
    (I
    S
    = 8.0 A，V
    GS
    = 0 V,
    d
    IS
    /d
    t
    = 100A / μs）内
    V
    SD
    t
    on
    t
    rr
    **
    320
    1.5
    V
    ns
    ns
    L
    S
    7.5
    nH
    (V
    DS
    = 400 V，I
    D
    = 8.0 A,
    V
    GS
    = 10 V)*
    (R
    Go
    + C17n = 9.1Ω ） *
    (V
    DS
    = 25 V, V
    GS
    = 0 V,
    F = 1.0兆赫）
    g
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    L
    D
    4.9
    1450
    190
    45.4
    15
    33
    40
    32
    40
    8.0
    17
    4.5
    1680
    246
    144
    50
    72
    150
    60
    64
    毫姆欧
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    nH
    R
    DS （ ON）
    V
    DS （ ON）
    5.0
    0.8
    7.2
    Ω
    V
    V
    GS （ TH）
    2.0
    4.0
    V
    I
    GSSR
    100
    nA
    I
    GSSF
    I
    DSS
    25
    250
    100
    nA
    μA
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    民
    500
    典型值
    最大
    单位
    V
    *脉冲测试：脉冲宽度
    ≦300µs,
    占空比
    ≦2%
    **忽略不计，占主导地位的电路中电感
    2003/03/31
    初步
    1.0版
    冠军微电子公司
    第2页

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