CMT14N50GN220FP 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CMT14N50GN220FP
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内容描述：	功率场效应晶体管 [POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	8 页 / 193 K
品牌：	CHAMP [ CHAMPION MICROELECTRONIC CORP. ]

CMT14N50

OWER

屈服

ffect

RANSISTOR

概述

这种高电压MOSFET采用先进的终止

方案以提供增强的电压阻断能力

在不降低性能随着时间的推移。另外，该

先进的MOSFET被设计成能承受高能量的

雪崩和减刑模式。新能源

高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用

快速恢复时间。专为高电压，高转速

电源供应器，转换器，开关和应用

PWM电机控制，这些设备是特别好

合适的

为

桥

电路

哪里

二极管

速度

和

换向安全工作区域是至关重要的，并提供

针对突发的额外电压和安全边际

瞬变。

特点

强大的高压端子

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快速恢复二极管

二极管电桥电路的特点是使用

DSS

和V

（上）指定高温

引脚配置

TO-220FP

顶视图

符号

来源

门

漏

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

等级

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

减免上述25 °

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

= 25℃

= 100V, V

= 10V ，我

= 14A ，L = 6mH中，R

= 25Ω)

热阻

－

结到外壳

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

3.6

62.5

260

℃

℃/W

, T

英镑

符号

GSM

价值

±30

±40

0.28

-55到150

588

W/℃

℃

单位

2009年7月17日Rev1.2

冠军微电子公司

第1页

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