CMT2301M233 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CMT2301M233
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内容描述：	P沟道增强型MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 245 K
品牌：	CHAMP [ CHAMPION MICROELECTRONIC CORP. ]

CMT2301

P-C

HANNEL

NHANCEMENT

ODE

OSFET

概述

在CMT2301是P沟道逻辑增强模式

功率场效应晶体管都采用高细胞产生

密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别是针对减少

通态电阻。

这些装置特别适用于低电压

应用诸如蜂窝电话和笔记本电脑

功率管理和其它电池供电的电路，并且

都需要在一个非常小外形低线的功率损耗

表面贴装封装。

特点

-20V / -2.3A ，R

DS （ ON）

= 130 mΩ@VGS=-4.5V

-20V / -1.9A ，R

DS （ ON）

= 190 mΩ@VGS=-2.5V

超高密度电池设计极低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大直流电流

能力

SOT- 23-3封装设计

应用

在笔记本电脑的电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

引脚配置

SOT-23-3

符号

顶视图

漏

来源

门

P沟道MOSFET

订购信息

产品型号

CMT2301M233

CMT2301GM233*

*注意：

G：后缀为无铅产品

包

SOT-23-3

2006/10/11 Rev1.2

冠军微电子公司

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