CMT2N7002_10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CMT2N7002_10
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内容描述：	小信号MOSFET [SMALL SIGNAL MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 212 K
品牌：	CHAMP [ CHAMPION MICROELECTRONIC CORP. ]

CMT2N7002

MALL

IGNAL

MOSFET

概述

这种N沟道增强型场效应晶体管

生产采用高密度， DMOS技术。这些

产品的目的是为了最大限度地减少通态电阻

同时提供坚固，可靠和快速的开关性能。

它可在需要高达115毫安直流大多数应用中使用

并且可以提供脉冲电流高达800mA 。本产品是

特别适用于低电压，低电流的应用，例如

小伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器，以及

其他开关应用。

特点

高密度电池设计低R

DS （ ON）

电压控制的小信号开关

坚固可靠

高饱和电流能力

引脚配置

SOT -23 ， SOT- 323

SOT-363

符号

顶视图

漏

来源

门

N沟道MOSFET

订购信息

产品型号

CMT2N7002

CMT2N7002G*

CMT2N7002WG*

CMT2N7002DWG*

CMT2N7002X*

CMT2N7002WX*

CMT2N7002DWX*

包

SOT-23

SOT-323

SOT-363

SOT-23

SOT-323

SOT-363

W：后缀封装SOT- 323

X：后缀为无卤产品

*注意：

G：后缀为无铅产品

绝对最大额定值

等级

漏源电压

漏，栅极电压（R

= 1.0MΩ)

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

减免上述25 °

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

= 25℃

= 50V, V

= 10V ，我

= 0.8A ， L = 30mH ，R

= 25Ω)

工作和存储温度范围

热阻

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

, T

英镑

-55到150

417

300

℃

℃/W

℃

符号

DSS

DGR

GSM

价值

115

800

±20

±40

225

1.8

9.6

毫瓦/ °

单位

2010/03/23

修订版1.9

冠军微电子公司

第1页

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