CMT55N03G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CMT55N03G
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内容描述：	25V n沟道增强型MOSFET [25V N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 237 K
品牌：	CHAMP [ CHAMPION MICROELECTRONIC CORP. ]

CMT55N03G

25V N-C

HANNEL

NHANCEMENT

-M

ODE

OSFET

应用

Vds=25V

DS （ ON）

= 6毫欧（最大值）， VGS

@10V,

Ids@30A

DS （ ON）

= 9毫欧（最大值）， VGS

@4.5V,

Ids@30A

特点

先进的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

专为DC / DC转换器和电机

DRIVERS

充分界定雪崩电压和电流

改进直通FOM

引脚配置

TO-252

符号

前视图

门

来源

漏

N沟道MOSFET

最大额定值和热特性

（ TA = 25 ℃除非另有说明）

等级

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

符号

=25℃

=75℃

/ T

英镑

θJC

价值

±20

100

-55至150

1.8

单位

℃

℃/W

最大功率耗散

工作结存储温度范围

结 - 到-Case热阻

结 - 到环境的热阻（印刷电路板安装）

θJA

注： 1，重复评级：脉冲宽度有限的最高结temperation

2. 1中

2盎司铜PCB板

3.由设计保证;不受生产测试

2007/03/15 Rev1.0

冠军微电子公司

第1页

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