CMT60N03GN252 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CMT60N03GN252
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内容描述：	N沟道逻辑电平功率MOSFET [N-CHANNEL Logic Level Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 195 K
品牌：	CHAMP [ CHAMPION MICROELECTRONIC CORP. ]

CMT60N03G

N-C

HANNEL

逻辑电平功秏

OSFET

应用

降压转换器的高边开关

其他应用程序

DSS

30V

DS （ ON）

典型值。

10.8mΩ

50A

特点

低导通电阻

低栅电荷

峰值电流与脉冲宽度曲线

电感式开关曲线

改进统计研究所耐用

引脚配置

TO-252

TO-263

符号

前视图

来源

漏

门

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

等级

漏源极电压（注1 ）

漏电流

－

连续TC = 25 ℃ ，V

@ 10V （注2）

－

连续锝= 100 ℃ ，V

@ 10V （注2）

－

脉冲TC = 25 ℃ ，V

@ 10V （注3）

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

总功耗

减额在25℃以上因素

峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）

工作结存储温度范围

单脉冲雪崩能量L = 1.1mH ，我

= 30安培

最大的铅焊接温度的目的

最大包主体，持续10秒

脉冲雪崩额定值

dv / dt的

, T

英镑

PKG

符号

DSS

价值

Fig.3

Fig.6

±20

0.5

3.0

-55到150

500

300

260

Fig.8

W/℃

V / ns的

℃

单位

热阻

符号

θJC

θJA

参数

结到外壳

结到环境

（ PCB安装）

结到环境

民

典型值

最大

2.4

单位

℃/W

测试条件

水冷散热器，P

调整后的峰值结

+ 150 ℃的温度

最小焊盘面积， 2盎司铜， FR- 4电路板，双

双面

1立方英尺室，自由的空气

2006/10/11 Rev1.2

冠军微电子公司

第1页

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