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DSR1DS1D 参数 Datasheet PDF下载

DSR1DS1D图片预览
型号: DSR1DS1D
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内容描述: SUFACE MOUNT通用硅整流 [SUFACE MOUNT GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 124 K
品牌: CHENDA [ Chendahang Electronics Co., Ltd ]
 浏览型号DSR1DS1D的Datasheet PDF文件第2页  
DSR1A THRU DSR1M
SUFACE MOUNT通用硅整流
反向电压 - 50到1000伏特
正向电流 - 1.0安培
SOD-123FL
阴极带
顶视图
特点
玻璃钝化装置
适用于地表mouted应用
低反向漏
冶金结合建设
高温焊接保证:
250 ℃/ 10秒0.375
设计(9.5mm )引线长度,
5磅。 ( 2.3千克)张力
2.8
±
0.1
1.3± 0.15
0.10-0.30
0.6
±
0.25
1.0±
0.2
1.8± 0.1
机械数据
: JEDEC SOD- 123FL模压塑料车身超过钝化芯片
码头
:每MIL -STD- 750焊接的,
方法2026
极性
:颜色频带端为负极
安装位置
:任何
重量
0.006盎司, 0.02克
3.7
±
0.2
单位:毫米
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹,电阻或电感性负载,容性负载电流降额20% 。
符号
DSR1A DSR1B DSR1D DSR1G DSR1J
S1A
S1B
S1D
S1G
S1J
MDD产品目录号
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
A
= 65℃ (注1 )
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)T
L
=25 C
在1.0A最大正向电压
反向电流最大DC
T
A
=25 C
在额定阻断电压DC
T
A
=125 C
典型结电容(注2 )
典型热阻(注3 )
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
DSR1K DSR1M单位
S1K
S1M
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
AMP
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
英镑
25.0
1.1
10.0
50.0
4
180
-55到+150
安培
µ
A
pF
K / W
C
注意:
1.Averaged在任何20ms的时间。
2.Measured在1MHz和应用4.0V DC反向电压
结3.Thermal耐环境在0.375“设计(9.5mm )引线长度,PCB安装
MDD电子