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2N7002EPT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N7002EPT
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 221 K
品牌: CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
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CHENMKO ENTERPRISE CO。 , LTD。
表面贴装
N沟道增强型网络场效晶体管
电压60伏特
应用
*伺服电机控制。
*功率MOSFET栅极驱动器。
*其他开关应用。
2N7002EPT
当前0.250安培
特征
*小型表面安装型。 ( SC - 70 / SOT- 323 )
*高密度电池设计低R
DS ( ON)
.
*适用于高封装密度。
*坚固可靠。
*高饱和电流能力。
*电压控制的小信号开关。
(3)
SC-70/SOT-323
(2)
1.3±0.1
0.3±0.1
0.65
2.0±0.2
0.65
1.25±0.1
(1)
施工
* N沟道增强
记号
* 702E
D
(3)
0.05~0.2
0.1Min.
2.0~2.45
0.8~1.1
0~0.1
电路
(1)
G
S
(2)
单位:毫米
SC-70/SOT-323
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
2N7002EPT
单位
V
DSS
漏源电压
60
60
V
V
V
V
DGR
V
GSS
漏,栅极电压(R
GS
& LT ; 1M的
)
栅源电压 - 连续
- 不重复( TP & LT ;为50μs )
±
20
±
40
250
190
200
150
-55到150
300
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
I
D
P
D
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
mA
mW
mW
°C
°C
T
J
,T
英镑
T
L
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 16"分之1案件从10秒
热特性
R
θ
JA
热阻,结到环境
450
° C / W
2005-6