2N7002ESEPT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002ESEPT
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 448 K
品牌：	CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]

CHENMKO ENTERPRISE CO。， LTD。

表面贴装

N沟道增强型网络场效晶体管

电压60伏特

当前

500 mAmpere

应用

*继电器驱动器

*高速线路驱动器

*逻辑电平晶体管

2N7002ESEPT

特征

*小型表面安装型。（ SOT -23 ）

*高密度电池设计低R

DS （ ON）

*适用于高封装密度。

*坚固可靠。

*高饱和电流能力。

在输入门* ESD保护

1.5KV

(3)

SC-70/SOT-323

(2)

1.3±0.1

0.3±0.1

0.65

2.0±0.2

0.65

施工

* N沟道增强，在输入ESD保护

1.25±0.1

(1)

0.05~0.2

0.8~1.1

0~0.1

2.0~2.45

0.1Min.

电路

= 25 ° C除非另有说明

单位：毫米

SC-70/SOT-323

绝对最大额定值

符号

参数

2N7002ESEPT

单位

DSS

漏源电压

DGR

GSS

漏，栅极电压（R

＆ LT ; 1M的

Ω

)

栅源电压 - 连续

- 不重复（ TP ＆ LT ;为50μs ）

500

800

400

-65到150

= 25°C

= 100°C

英镑

最大漏极电流 - 连续

- 脉冲

最大功率耗散

°C

工作和存储温度范围

热特性

热阻，结到环境

350

° C / W

2006-03

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