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2N7002M1PT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N7002M1PT
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 170 K
品牌: CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
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CHENMKO ENTERPRISE CO。 , LTD。
2N7002M1PT
表面贴装
N沟道增强型网络场效晶体管
电压60伏特
应用
*伺服电机控制。
*功率MOSFET栅极驱动器。
*其他开关应用。
当前0.115安培
特征
*小型表面安装型。 ( FBPT - 723 )
*高密度电池设计低R
DS ( ON)
.
*适用于高封装密度。
*坚固可靠。
*高饱和电流能力。
*电压控制的小信号开关。
0.5±0.05
1.2±0.05
FBPT-723
1.2±0.05
施工
* N沟道增强
0.05±0.04
0.84±0.05
0.32±0.05
0.15(REF.)
0.47(REF.)
(3)
电路
(1)
G
D
(3)
0.28±0.05
(2)
(1)
0.23(REF.)
0.22±0.05
S
(2)
0.25±0.05
单位:毫米
FBPT-723
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
2N7002M1PT
单位
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
T
英镑
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流 - 连续
最大功率耗散
工作温度范围
存储温度范围
60
V
V
mA
mW
°C
°C
±
20
115
150
150
-55到150
热特性
R
θ
JA
热阻,结到环境
625
° C / W
2006-12