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2N7002SSPT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N7002SSPT
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内容描述: 双N沟道增强MOS FET [Dual N-Channel Enhancement MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 153 K
品牌: CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
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CHENMKO ENTERPRISE CO。 , LTD。
表面贴装
双N沟道增强MOS FET
电压50伏
应用
*伺服电机控制。
*功率MOSFET栅极驱动器。
*其他开关应用。
2N7002SSPT
当前0.51安培
特征
*小型表面安装型。 ( SC - 88 / SOT- 363 )
*高密度电池设计低R
DS ( ON)
.
*适用于高封装密度。
*坚固可靠。
*高饱和电流能力。
*电压控制的小信号开关。
(1)
(G1)
SC-88/SOT-363
(D1)
(6)
1.2~1.4
(S2)
0.65
(S1)
0.65
2.0~2.2
施工
*双N沟道增强
(G2)
0.15~0.35
(3)
(D2)
(4)
1.15~1.35
0.08~0.15
0.1分钟。
0.8~1.1
0~0.1
2.15~2.45
电路
6
4
1
3
单位:毫米
SC-88/SOT-363
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
2N7002SSPT
单位
V
DSS
漏源电压
50
50
V
V
V
mA
V
DGR
V
GSS
I
D
漏,栅极电压(R
GS
& LT ; 1M的
)
栅源电压 - 连续
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
±
20
510
1500
960
900
-55到150
300
P
D
最大功率耗散
T
A
= 70°C
mW
mW
°C
°C
T
J
,T
英镑
T
L
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 16"分之1案件从10秒
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
130
60
° C / W
° C / W
2004-7