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2SB1132PT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1132PT
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内容描述: PNP中功率晶体管 [PNP Medium Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 284 K
品牌: CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
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CHENMKO ENTERPRISE CO。 , LTD。
表面贴装
PNP中功率晶体管
电压32伏特
应用
*电话和proferssional communction设备。
*其他开关应用。
2SB1132PT
当前1安培
特征
*小型扁平封装。 ( SC - 62 / SOT- 89 )
*高电流增益。
*适用于高封装密度。
*低colloector发射极饱和。
*高饱和电流能力。
4.6MAX.
1.7MAX.
SC-62/SOT-89
1.6MAX.
0.4+0.05
2.5+0.1
+0.08
0.45-0.05
+0.08
0.40-0.05
1.50+0.1
+0.08
0.40-0.05
1.50+0.1
记号
* HFE ( P):在P32中
* HFE ( Q) : Q32
* HFE (R ) : BAR
1
1 BASE
2
3
电路
2集电极(散热器)
3发射器
0.8MIN.
4.6MAX.
1
B
2
C
3
E
单位:毫米
SC-62/SOT-89
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散功率
Note2
T
英镑
T
j
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2.当安装在40X40X0.7毫米的陶瓷板。
储存温度
结温
条件
发射极开路
开基
集电极开路
−55
分钟。
马克斯。
-40
-32
-5
-1
0.5
2
+150
150
°C
°C
单位
V
V
V
A
W
2004-03