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2SD882PT 参数 Datasheet PDF下载

2SD882PT图片预览
型号: 2SD882PT
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内容描述: NPN外延型晶体管 [NPN Epitaxial Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 116 K
品牌: CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
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额定值特性曲线( 2SD882PT )
特征
(在T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
条件
I
E
=0; V
CB
=30V
I
C
=0; V
EB
=3V
V
CE
= 2V ;注1
I
C
=0.02A
I
C
=1.0A;
注2
I
C
= 2A ;我
B
=0.2A
I
C
= 2A ;我
B
=-0.2A
I
E
= IE = 0 ; V
CB
=10V;
f=1MHz
I
C
= 0.02A ; V
CE
=20V;
f=100MHz
符号
I
CBO
I
EBO
分钟。
-
-
TYPE
-
-
马克斯。
1.0
1.0
单位
uA
uA
o
直流电流增益
h
FE
30
100
-
-
-
-
-
160
0.3
1.0
55
100
-
500
0.5
2.0
-
-
pF
兆赫
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极Saturatio
电压
集电极电容
跃迁频率
V
CESAT
V
BESAT
C
C
f
T
开关时间
( 10%至90%的水平)
参数
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
I
B2
输入
条件
产量
符号
t
on
t
s
t
f
分钟。
-
-
-
TYPE
0.1
1.0
0.1
马克斯。
-
-
-
单位
微秒
微秒
微秒
I
B2
30欧姆
30V
20uSec
I
B1
I
B1
=-I
B2
=0.05A
值班Cycle<1 %
注意:
1.脉冲测试: TP
300uSec;
δ ≤
0.02.
2.的hFE (2)分类问: 100至200 ,P: 160 〜320中,E : 250〜500 。