CHM310PT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CHM310PT
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 192 K
品牌：	CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]

额定值特性曲线（ CHM310PT ）

电气特性

符号

参数

= 25 ° C除非另有说明

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

GSSF

GSSR

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

= 0 V，I

= 10 µA

= 100 V, V

= 0 V

= 20V,V

= 0 V

= -20V, V

= 0 V

100

+50

-50

基本特征

（注2 ）

GS （ TH）

DS （ ON）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

= V

, I

= 1毫安

= 4.5V ，我

=170mA

= 10V ，我

=170mA

0.8

4.5

2.8

Ω

正向跨导

= 10V ，我

= 4.0A

开关特性

关闭

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

开启时间

上升时间

打开-O FF时间

下降时间

= 10V ，我

=0.22A

=10V

= 30V

= 0.28A ，V

= 10 V

根

= 50

Ω

1.4

0.15

0.2

漏源二极管的特性和最大额定值

漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向电压I

= 115毫安，V

= 0 V

115

1.4

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