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CHT2312PT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CHT2312PT
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 191 K
品牌: CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
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CHENMKO ENTERPRISE CO。 , LTD。
表面贴装
N沟道增强型网络场效晶体管
电压20伏
应用
*伺服电机控制。
*功率MOSFET栅极驱动器。
*其他开关应用。
CHT2312PT
当前4.5安培
特征
*小型扁平封装。 ( SC - 59 )
*高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
*坚固可靠。
*高饱和电流能力。
1.7~2.1
(2)
(3)
SC-59/SOT-346
0.95
2.7~3.1
0.95
(1)
施工
* N沟道增强
0.3~0.51
1.2~1.9
0.89~1.3
0.085~0.2
0.3~0.6
2.1~2.95
(1)
G
电路
D
(3)
0~0.1
S
(2)
单位:毫米
SC-59/SOT-346
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
CHT2312PT
单位
V
DSS
V
GSS
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流 - 连续
20
V
V
±
8
4.5
I
D
- 脉冲
P
D
T
J
T
英镑
最大功率耗散
工作温度范围
存储温度范围
(注3)
A
13.5
1250
-55到150
-55到150
mW
°C
°C
注: 1.表面安装在FR4板,T < = 10秒
2.脉冲测试,脉冲宽度< = 300US ,占空比< = 2 %
3.重复评级,脉冲宽度linited由最高结温
4.设计保证,不受生产trsting
热特性
R
θ
JA
热阻,结到环境
(注1 )
100
° C / W
2005-02