特点
这三个层，两台终端，轴向引线，密封的单IGBT
专为触发晶闸管的设计。他们表现出的低导通
电流导通电压，因为他们承受峰值脉冲电流，导通
对称是在三伏特（ DB3 ， DC34 ， DB4 ）或四伏（ DB6 ）。这些都是单IGBT
旨在用于thyrisitors相位控制，对灯的调光电路中，普遍
电动机速度控制，以及热控制。
DB3/DC34/DB4/DB6
硅双向DIAC
JF的DB3 / DC34 / DB4 / DB6是设计工作的双向触发时二极管
与三端双向可控硅SCR和的结合
绝对额定值（极限值）
价值
符号
参数
DB3 DC34
DB4
DB6
mW
在打印功耗
Circuit(L=10mm)
单位
P
c
TA=50
TP = 10U s
F=100Hz
150
I
TRM
T
英镑
/
T
J
重复峰值的状态
当前
2.0
2.0
2.0
1.6
A
存储和工作结温
-40〜+ 125 / -40至110
电子安全特性
价值
符号
参数
测试条件
DB3
C =值为22nF （注2 ）
VBO
击穿电压（注2 ）
见diagram1
民
典型值
最大
| + VBO | -
| -VBO |
|
Vo
IBO
tr
IB
V|
动态转折
电压（注1 ）
输出电压（注1 ）
导通电流（注1 ）
上升时间（注1 ）
泄漏电流（注1 ）
转折电压对称性
C =值为22nF （注2 ）
见diagram1
I=(
I
BO
以IF = 10毫安）
见diagram1
见diagram2
C =值为22nF （注2 ）
见图3
民
最大
典型值
最大
5
100
1.5
10
V
A
S
A
民
5
10
V
最大
28
32
36
DC34
30
34
38
3
DB4
35
40
45
DB6
56
60
70
4
V
V
单位
V
B
=0.5
V
BO
最大
见图1
注：1.电气特性适用于正向和反向的方向。
2.连接与设备平行。
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