CS51031
应用信息：继续
7 ）分频旁路电容CRR
由于反馈电阻由一个分割的输出电压
的4因子，即5V / 1.25V = 4时，它遵循的输出纹波
也被一分为四。这将要求输出
纹波至少为60mV的（ 4
´
15mV的）跳闸反馈的COM
parator 。我们使用一个电容器CRR充当交流短路。
纹波电压的频率等于开关频
昆西所以我们选择CRR = 1nF的。
8 ），软启动和故障定时电容CS 。
CS执行几个重要的功能。首先，它提供了一个
延迟时间为负载瞬变，以使IC不会进入
故障模式，每次负载突然改变。
其次，它禁止在启动过程中的故障电路，它
还提供了软启动通过把参考电压钳位
启动时，允许在它缓慢上升，最后它
控制打嗝短路保护电路。这
期间短的占空比降低到大约0.035
电路的条件。
在计算CS的一个重要考虑因素是它的
电压未达到2.5V的电压（在该故障
V前检测电路使能）
FB
达到1.15V其它 -
明智的电源将不会开始。
如果在V
FB
引脚达到1.15V时，故障时间比较
会放电ç
S
而供应将无法启动。对于V
FB
电压达到1.15V的输出电压必须至少
4
´
1.15 = 4.6V.
如果我们选择900μs的任意启动时间，值
C
S
是：
t
启动
=
C
S
´
2.5V
I
收费
t
费（ T）
=
C
S
´
(2.5V - 1.5V)
I
收费
在那里我
收费
为264μA典型。
t
费（ T）
= C
S
´
3787
故障时间由下式给出：
t
故障
= C
S
´
(3787 + 1515 + 1.5
´
10
5
)
t
故障
= C
S
´
(1.55
´
10
5
)
该电路
t
故障
= 0.1
´
10
-6
´
1.55
´
10
5
= 15.5µS
℃的较大值
S
会增加故障超时时间
而且会增加软启动时间。
9 ）输入电容
输入电容降低了从吸收的峰值电流
输入电源，降低了噪声和纹波电压
在V
CC
和V
C
销。该电容还必须确保
该V
CC
仍高于UVLO电压事件
的输出短路。的低ESR电容，至少
100μF还是不错的。陶瓷表面贴装电容应
还可以连接V之间
CC
和地面筛选高
频噪声。
10 ） MOSFET选择
该CS51031驱动一个P沟道MOSFET 。在V
门
针
波动从GND到V
C
。用于PFET的类型取决于
的操作条件，但对于低于7V一个输入电压
逻辑电平场效应管应该被使用。
用连续漏极电流PFET （我
D
）等级更高
比所需的最大输出电流。
栅极至源极电压V
GS
和漏到源
击穿电压应根据所输入的被选择
电源电压。
的功耗，由于导通损耗是
由下式给出：
P
D
= I
OUT
2
´
R
DS （ ON）
´
D，其中
R
DS （ ON）
是在T的值
J
= 100ûC.
C
S
敏=
900µs
´
264µA
= 950nF
@ 0.1µF
2.5V
故障时间的缓慢放电时间快的总和
放电时间和充电时间。它是由主导
缓慢的放电时间。
第一个参数是慢放电时间，它是时间
对于C
S
电容器从2.4V放电至1.5V ，是
由下式给出：
C
S
´
(2.4V - 1.5V)
t
SlowDischarge （T ）
=
I
放电
在那里我
放电
为6pA典型。
t
SlowDischarge （T ）
= C
S
´
1.5
´
10
5
发生在快速放电时出现故障首先detect-
ED 。了C
S
电容放电2.5V至2.4V 。
C
S
´
(2.5V - 2.4V)
I
FastDischarge
由于该PFET的功耗与开关损失 -
ES由下式给出：
P
D
= 0.5
´
V
IN
´
I
OUT
´
(t
r
)
´
f
SW
其中T
r
=上升时间。
11 ）二极管的选择
反激式或续流二极管应该是肖特基二极管
因为它的快速开关能力和较低的正向电压
年龄下降。额定电流至少必须等于
最大输出电流。击穿电压应
至少为20V为此12V应用。
二极管的功耗由下式给出：
P
D
= I
OUT
´
V
D
´
(1 - D
民
)
t
FastDischarge （T ）
=
在那里我
FastDischarge
为66μA典型。
t
FastDischarge （T ）
= C
S
´
1515
充值时间是对C
S
从1.5V充电到
2.5V.
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CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
