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    CS51033YD8 参数 Datasheet PDF下载

    CS51033YD8图片预览
    型号： CS51033YD8
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 快PFET降压控制器不需要补偿 [Fast PFET Buck Controller Does Not Require Compensation]
    分类和应用： 稳压器开关式稳压器或控制器电源电路开关式控制器光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 162 K
    品牌： CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号CS51033YD8的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CS51033YD8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CS51033YD8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CS51033YD8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CS51033YD8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CS51033YD8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CS51033YD8的Datasheet PDF文件第8页  
    CS51033
    应用信息：继续
    缓慢上升，最终其控制的打嗝短路
    保护电路。此功能可以减少PFET的责任
    循环到C的2％
    S
    期。
    在计算C中的最重要的考虑因素
    S
    是，
    它的电压未达到2.5V的电压（在该
    故障检测电路使能）V前
    FB
    达到1.15V
    否则电源将不会开始。
    如果在V
    FB
    引脚达到1.15V的故障时间会比较
    放电ç
    S
    而供应将无法启动。对于V
    FB
    电压
    年龄达到1.15V的输出电压必须至少为4
    ×
    1.15 = 4.6V.
    如果我们选择为200ps的任意启动时间，我们计算
    C的值
    S
    来自：
    C
    S
    ×
    2.5V
    吨 - 我
    收费
    C
    秒（分钟）
    =
    使用0.1μF 。
    故障超时时间是缓慢排出的总和
    计时的快速放电时间和充电时间，并且
    通过缓慢放电时间明显占优。
    第一个参数是慢放电时间，它是时间
    对于C
    S
    电容器从2.4V放电至1.5V ，是
    由下式给出：
    C
    S
    ×
    (2.4V-1.5V)
    T
    SLOWDISCHARGE
    =
    在那里我
    放电
    为6pA典型。
    T
    SLOWDISCHARGE
    = C
    S
    ×
    1.5V
    ×
    10
    5
    第一次检测到故障发生时快速放电时间。
    了C
    S
    电容放电2.5V至2.4V 。
    T
    FastDischarge
    =
    C
    S
    ×
    (2.5V - 2.4V)
    Ι
    FastDischarge
    Ι
    放电
    200µs
    ×
    264µA
    = 0.02µF
    2.5V
    该电路
    T
    故障
    = 0.1
    ×
    10
    -6
    ×
    1.55
    ×
    10
    5
    = 0.0155
    ℃的较大值
    S
    会增加故障的超时时间，但
    也将增加软启动时间。
    8 ）输入电容。
    输入电容降低了从吸收的峰值电流
    输入电源，降低了噪声和纹波电压
    在V
    CC
    和V
    C
    销。该电容还必须确保
    该V
    CC
    仍高于UVLO电压事件
    的输出短路。 ç
    IN
    应为低ESR电容
    中的至少100μF 。陶瓷表面贴装电容应
    还可以连接V之间
    CC
    和接地，以防止
    尖峰。
    9 ） MOSFET选择
    该CS51033驱动P沟道MOSFET 。在V
    门
    针
    波动从GND到V
    C
    。用于PFET的类型取决于
    的操作条件，但对于低于7V一个输入电压
    逻辑电平场效应管应该被使用。
    选择具有连续漏极电流PFET （ID）评级
    比最大输出更大的电流。 ř
    DS （ ON）
    应
    少于
    R
    DS
    ＆ LT ; =
    0.6V
    I
    输出（最大）
    167mΩ
    栅极至源极电压VGS和漏 - 源
    击穿电压应根据所输入的被选择
    电源电压。
    的功耗，由于导通损耗给出
    方式：
    P
    D
    =
    OUT2
    ×
    R
    DS （ ON）
    ×
    D
    的功耗，由于开关损耗被赋予
    方式：
    P
    D
    = 0.5
    ×
    V
    IN
    ×
    I
    OUT
    ×
    (T
    Rr +
    T
    F
    )
    ×
    F
    SW
    其中， TR =上升时间和TF =下降时间。
    10 ）二极管的选择。
    反激式或续流二极管应该是肖特基二极管
    因为它的快速开关能力和较低的正向电压
    年龄下降。额定电流至少必须等于
    最大输出电流。击穿电压应
    至少为20V为此12V应用。
    二极管的功耗由下式给出：
    P
    D
    = I
    OUT
    ×
    V
    D
    ×
    (1-D
    民
    )
    在那里我
    FastDischarge
    为66μA典型。
    T
    FastDischarge
    = C
    S
    ×
    1515
    充值时间是对C
    S
    从1.5V充电到
    2.5V.
    T
    收费
    =
    C
    S
    ×
    (2.5V-1.5V)
    Ι
    收费
    在那里我
    收费
    为264μA典型。
    T
    收费
    = C
    S
    ×
    3787
    故障超时时间由下式给出：
    T
    故障
    = C
    S
    ×
    (3787 + 1515 + 1.5
    ×
    10
    5
    )
    T
    故障
    = C
    S
    ×
    1.55
    ×
    10
    5
    7

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