CS7054
应用信息：继续
在电源电压。占空比是根据向变
在输入电压和电源电压由下面的
公式：
2.8
´
V
CTL
V
CC
跨越这两个线索TiAl基电压在内部放大
并且相比于在I上的电压
ADJ
导致。增益的
V
,
在内部和外部设置的由下面的等式：
V
我（ ADJ ）
I
SENSE +
- I
SENSE-
占空比= 100 ％
´
A
V
=
=
37000
1000 + R
CS
内部直流电压等于：
V
DC
= (1.683
´
V
CTL
) + (V
谷
)
是相对于振荡器的电压以产生所述的COM
补偿的占空比。转移设置，使得在V
CC
=
14V税将等于V
CTL
用V划分
REG
。对于应试
PLE在V
CC
= 14V, V
REG
= 5V和V
CTL
= 2.5V ，占空比
周期为50 ％的输出。这将放置一个7V
负载两端的平均电压。如果V
CC
然后下降到10V，
该IC将改变占空比70％ ，从而保持
在7V的平均负载电压。
电流限制（我
LIM
）由外部电流检测设
电阻器（R
SENSE
）跨接在我
SENSE +
我
SENSE-
之三
minals并在I上的电压
ADJ
导致。
(1000 + R
CS
)
37000
V
我（ ADJ ）
R
SENSE
I
LIM
=
´
120%
V
CC
= 8V
100%
80%
占空比（ ％ ）
V
CC
= 14V
60%
V
CC
= 16V
40%
第r
CS
电阻器和C
CS
部件构成差动
低通滤波器，该滤波器滤除高频噪声gen-
通过外部MOSFET和所述的开关erated
有关铅的噪音。 ř
CS
也形成了一个误差项
在我的增益
LIM
方程，因为我
SENSE +
我
SENSE-
导线是低阻抗输入，从而创造一个良好的
电流检测放大器。这两个导致源50μA ，而
该芯片在运行模式。 ř
CS
应该比1000小得多
�½ to minimize error in the I
LIM
方程。我
ADJ
应
1V和4V之间的偏差。
当电流通过外部MOSFET超过
I
LIM
，内部锁存器设置，输出拉的门
在MOSFET低的振荡周期的剩余时间
（故障模式） 。在下一循环的开始，锁存器被复位
和IC恢复到运行模式，直到另一个错误
发生。如果发生在给定的周期数的故障
时，在IC Òtimes outÓ和禁止MOSFET的
时间久了，让它冷静下来。这是通过
收取了C
FLT
每次在过电流的电容器
情况发生。如果一个周期的推移，无过流
故障发生，甚至更小的量的电荷会
从C中删除
FLT
。如果出现足够的故障在一起，偶
tually ç
FLT
将充电至2.4V ，故障锁存器
进行设置。故障锁存器不会被重置，直至C
FLT
解散
收费为0.6V 。这一行动将无限期地继续下去，如果
故障依旧。
关断时间和时间由以下设置：
2.4V - 0.6V
4.5µA
20%
0%
10%
20%
30%
40%
50%
60%
70%
80%
90%
100%
CTL电压V （ ％
REG
)
图1 ：电压补偿
5V线性稳压器
有可在V为5V ， 5毫安线性稳压器
REG
导致外用药。这个电压可充当参考
许多内部和外部的功能。它有一个砸出来的
在室温下大约为1.5V ，并且不
需要一个外部电容即可稳定工作。
电流检测和定时器
在IC差分监视上一个周期的负载电流
通过在I周期的基础
SENSE +
我
SENSE-
导致。该differen-
4
关闭时间= C
FLT
´
CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
