CS8127
绝对最大额定值
动力Dissipation.............................................................................................................................................Internally有限
输入电压..................................................................................................................................................................–0.3V, 26V
瞬态输入电压............................................................................................................................................................60V
输出电流...............................................................................................................................................Externally有限
ESD敏感性（人体Model)..............................................................................................................................2kV
结温............................................................................................................................................–45°C至150℃下
存储Temperature..............................................................................................................................................–55°C至150℃下
无铅焊接温度
波峰焊（只通过孔样式） .......................................... ........................................... 10秒。最大260 ° C峰值
回流焊（仅限SMD样式） ............................................ .......................................... 60秒。上面最大183 ° C， 230 ° C峰值
电气特性：
T
A
= -40ûC至+ 125ûC ，T
J
= -40ûC至+ 150ûC ，V
IN
= 6〜 26V ，我
OUT
= 5 500mA的电流，每测试电路
（除非另有说明）
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
s
输出级（ V
OUT
)
输出电压
输入输出电压差
供应电流I
Q
4.85
I
OUT
= 500毫安，注1
I
OUT
2 10毫安
I
OUT
2 500毫安
I
OUT
= 3A ，注1
6V ² V
IN
= 26V ，我
OUT
= 5毫安
5V = I
OUT
= 500毫安，V
IN
= 14V
F = 120Hz时， 7V ² V
IN
² 17V,
I
OUT
= 350毫安
V
SENSE
= 6V
V
SENSE
= 0V
60
32
25
50
250
5.00
0.1
4
5
30
12
2
70
5.15
0.6
8
15
50
50
V
V
mA
线路调整
负载调整率
纹波抑制
V
IN
过压关断
驱动电流
mV
mV
dB
V
µA
mA
40
s
RESET和延时功能
延时充电电流，I
收费
复位门限V
RTH
V
RTL
复位迟滞V
RH
延迟阈值
V
DTC
V
DTD
V
延迟
= 2V
V
OUT
增加
V
OUT
减少
收费
放电
V
DTC
- V
DTD
1V < V
OUT
＆ LT ; V
RTL
, 3k�½ to V
OUT
V
D
＆ GT ; V
DTC
, V
OUT
＆ GT ; V
RTH
放电锁存"ON" ，
V
OUT
＆ GT ; V
RTH
C
延迟
= 0.1μF ，注意2
16
0.2
32
5
4.65
4.50
150
3.25
2.80
200
10
4.90
4.70
200
3.50
3.00
400
15
V
OUT
-0.10
V
OUT
-0.15
250
3.75
3.40
800
0.4
10
0.5
48
µA
V
V
mV
V
V
mV
V
µA
V
ms
延时滞后，V
DH
RESET输出电压低
复位输出
漏电流
延迟电容（V
DIS
)
放电电压
延迟时间
注1 ：依赖于外部晶体管的特性。
注2 ：延迟时间=
C
延迟
x
V
DTC
I
收费
= C
延迟
x
3.5
x
10
5
（典型值）
2
CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
