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1N5399G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 1N5399G
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内容描述: 硅整流技术规范 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 1 页 / 39 K
品牌: CHONGQING [ CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD ]
   
重庆平阳县ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
1N5391G THRU 1N5399G
硅整流技术规范
VOLTAGE:50-1000V
CURRENT:1.5A
特点
高¡
可靠性
ULOW
泄漏
ULOW
正向电压降
高¡
电流能力
DO-15
1.0(25.4)
分钟。
.300(7.6)
.230(5.8)
.034(0.9)
.028(0.7)
DIA 。
机械数据
·案例:
模压塑料
·环氧树脂:
UL94V- 0率阻燃
·导语:
MIL -STD- 202E ,方法208保证
·极性:颜色
频带端为负极
·安装
您的位置:
任何
·重量:
0.38克
.140(3.6)
.104(2.6)
1.0(25.4)
分钟。
DIA 。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电子特性
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
符号
1N5391G 1N5392G 1N5393G1N5395G1N5397G 1N5398G1N5399G
单位
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
=75°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在负荷率( JEDEC
法)
在1.5A最大正向电压
DC
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
@ T
A
=25°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
o
I
FSM
V
F
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.5
50
1.1
5.0
500
30
20
50
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
@ T
A
=100°C
I
R
满载最大反向电流平均值,
全周期.375 “设计(9.5mm )引线长度在T
L
=75°C
C
J
典型结电容(注)
R
θJA
典型热阻
注:测量在1MHz和应用4.0伏的反向电压
µA
pF
° C / W
PDF
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