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KBU10A图片预览
型号: KBU10A
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内容描述: 单相硅桥式整流器 [SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 41 K
品牌: CHONGQING [ CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD ]
   
重庆平阳县ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
KBU10A THRU KBU10M
单相硅桥式整流器
VOLTAGE:50-1000V
CURRENT:10.0A
特点
ULOW
泄漏
ULOW
正向电压
-Surge
超载评级250安培
♦模压
结构
KBU
.935(23.7)
.895(22.7)
.700(17.8)
.600(16.8)
.300
(7.5)
.780(19.8)
.740(18.8)
- AC
+
0.052 ( 1.3 ) DIA 。
0.048 ( 1.2 ) TYP 。
1.00
(25.4)
分钟。
机械数据
·案例:
模压塑料
·环氧树脂:
UL 94V- 0率阻燃
·导语:
MIL -STD- 202E ,方法208保证
·极性:
符号模压或标记体
·安装
您的位置:
任何
·重量:
8.0克
.140
(5.3)
.220(5.6)
间距
.180(4.6) .280(7.0)
.268(6.8)
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电子特性
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
符号
KBU10A
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流输出
目前在T
C
=75°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在负荷率( JEDEC
法)
每件最大正向电压降
5.0A DC
反向电流最大DC
@ T
A
=25°C
在额定阻断电压DC
@ T
A
=100°C
每个元件
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
o
I
FSM
V
F
I
R
50
35
50
KBU10B KBU10D KBU10G KBU10J KBU10K KBU10M
单位
V
V
V
A
A
V
µA
100
70
100
200
140
200
400
280
400
10.0
250
1.0
10
500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
I
2
t
127
A
2
S
ec
I
2
T级的融合( t<8.3ms )
C
J
186
pF
典型结电容(注1 )
R
θJA
10
典型热阻(注2 )
° C / W
注: 1.Measured在1MHz和应用4.0伏的反向电压
2.Thermal电阻从结点到Ambientwith单元安装在0.47 × 0.47 “ ( 12 × 12毫米)铜垫
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